MICRO/NANO FABRICATION
 
 
 
         
 
 
DEEP TRENCH RIE
 
건식 식각
Deep Trench RIE (ICP)
- Silicon 식각 전용장비로 4인치,5인치,6인치 wafer 가능.
- 조각 Sample인 경우 4inch wafer에 붙여서 사용가능.
       
 
AOE Etcher (Pt,PZT)
 
AOE Etcher (Metal)
Pt, PZT 전용 식각
조각 ~ 4inch Wafer
       
 
OxfordEtcher(화합물)
 
Oxford Etcher (ICP)
혼합물 (Inp, AsGa, GaN,,,,,,,,,,) 모두 식각 가능.
Metal ( Cr, Al, Au, Pt, Ti,,,,,,) 식각 가능
조각 ~ 6인치 wafer 모두 가능
       
 
RIE I
 
건식 식각
Plasma Therm 790 Series
PC Control System
Oxide, Nitride, Polymer 등 식각 가능
2, 4, 6 Inch 및 시편활용가능
Toxic Gas 사용
Chiler Cooling System
       
 
RIE II
 
건식 식각
장비명: Advenced RIE
제조사: Advenced Vacuum & STS
Chamber Size: 300mm
가능공정 : Silicon Dioxide, Silicon Nitride 전용
       
 
M2000 Laser 가공기
 
Laser 가공
M-2000 Laser 가공기
- Silicon Wafer 및 Metal 가공 가능.
- Wafer Die Sawing 가능.
(단, Wafer Die Sawing시 CAD File이 필요함 [*.dxf])
       
 
Microwave Plasma Asher
 
Microwave Plasma Asher
독일 :Plasma Finish 장비
희생층으로 사용되는 폴리머(폴리이미드) 제거
PR 제거 모두 가능
       
 
Ion Milling
 
Ion Milling
.
       
 
RIEⅢ
 
RIEⅢ
건식식각
장비명: Reactive ion etching Plasma
제조사: Oxford
       
 
DEEP TRENCH RIE II
 
DEEP TRENCH RIE II
Deep Trench RIE
- Silicon 식각 전용장비