MICRO/NANO FABRICATION
 
 
 
         
 
 
DEEP TRENCH RIE
 
°Ç½Ä ½Ä°¢
Deep Trench RIE (ICP)
- Silicon ½Ä°¢ Àü¿ëÀåºñ·Î 4ÀÎÄ¡,5ÀÎÄ¡,6ÀÎÄ¡ wafer °¡´É.
- Á¶°¢ SampleÀÎ °æ¿ì 4inch wafer¿¡ ºÙ¿©¼­ »ç¿ë°¡´É.
       
 
AOE Etcher (Pt,PZT)
 
AOE Etcher (Metal)
Pt, PZT Àü¿ë ½Ä°¢
Á¶°¢ ~ 4inch Wafer
       
 
OxfordEtcher(È­ÇÕ¹°)
 
Oxford Etcher (ICP)
È¥ÇÕ¹° (Inp, AsGa, GaN,,,,,,,,,,) ¸ðµÎ ½Ä°¢ °¡´É.
Metal ( Cr, Al, Au, Pt, Ti,,,,,,) ½Ä°¢ °¡´É
Á¶°¢ ~ 6ÀÎÄ¡ wafer ¸ðµÎ °¡´É
       
 
RIE I
 
°Ç½Ä ½Ä°¢
Plasma Therm 790 Series
PC Control System
Oxide, Nitride, Polymer µî ½Ä°¢ °¡´É
2, 4, 6 Inch ¹× ½ÃÆíÈ°¿ë°¡´É
Toxic Gas »ç¿ë
Chiler Cooling System
       
 
RIE II
 
°Ç½Ä ½Ä°¢
Àåºñ¸í: Advenced RIE
Á¦Á¶»ç: Advenced Vacuum & STS
Chamber Size: 300mm
°¡´É°øÁ¤ : Silicon Dioxide, Silicon Nitride Àü¿ë
       
 
M2000 Laser °¡°ø±â
 
Laser °¡°ø
M-2000 Laser °¡°ø±â
- Silicon Wafer ¹× Metal °¡°ø °¡´É.
- Wafer Die Sawing °¡´É.
(´Ü, Wafer Die Sawing½Ã CAD FileÀÌ ÇÊ¿äÇÔ [*.dxf])
       
 
Microwave Plasma Asher
 
Microwave Plasma Asher
µ¶ÀÏ :Plasma Finish Àåºñ
Èñ»ýÃþÀ¸·Î »ç¿ëµÇ´Â Æú¸®¸Ó(Æú¸®À̵̹å) Á¦°Å
PR Á¦°Å ¸ðµÎ °¡´É
       
 
Ion Milling
 
Ion Milling
.
       
 
RIE¥²
 
RIE¥²
°Ç½Ä½Ä°¢
Àåºñ¸í: Reactive ion etching Plasma
Á¦Á¶»ç: Oxford
       
 
DEEP TRENCH RIE II
 
DEEP TRENCH RIE II
Deep Trench RIE
- Silicon ½Ä°¢ Àü¿ëÀåºñ
       
 
Oxford-ICP II
 
Oxford-ICP Etcher(Cobra)
•¶Ù¾î³­ ½Ä°¢ ±íÀÌ Á¦¾î·Î Á¤¹ÐÇÑ VCSEL ¸Þ»ç ½Ä°¢
•LED ¶Ç´Â ·¹ÀÌÀú ¹× Àü¿ø ÀåÄ¡¿ë GaN ¿¡Äª
•±¤ÀüÀÚ°øÇÐÀ» À§ÇÑ °í¼±Åüº GaAs/AlGaAs