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 E-beam Lithography |
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 Nano Pattern 구현 |
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| 제조사 : Raith(독일)
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| Model : Raith 150-TWO
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| ILithography method:Device making and direct writing with vector scanning method.
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| Substrate Size:4 inch diameter (Max) , 6 inch diameter (Max) or more7 inch Square (Max) LoadingAcceleration voltage:30㎸
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| Electron beam shape:Round with Gaussian distribution
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| Electron beam diameter:2.0㎚φ(Min) or below
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| Electron beam current:5×10-13A ~ 2×10-8A
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| Minimum line width:20㎚ or below
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| Electron current stability:1%/0.5hour or below
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| Scanning field:900㎛×900㎛,
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| 600㎛×600㎛
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| 300㎛×300㎛,
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| 150㎛×150㎛
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| 75㎛×75㎛
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| or more
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| Electron beam positioning:16 bit DAC or more
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| Stitching accuracy:40㎚ (3σ) or below
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| Overlay accuracy:40㎚ (3σ) or below
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| Exposure area:X-150㎜, Y-150㎜ or more: |
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| Spin Coater3 |
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| Spin Coater3 |
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| 모델명 : EF-80P(Digital type) |
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| EVG Aligner |
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| EVG Aligner |
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| *조각시편 및 4인치~8인치 Backside Align전용*
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| Hard/Soft, Low Vacuum
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| Vacuum contact
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| UV Source 365/405 nm |
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| 경사노광기 |
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| 자외선을 노광하는 광원부와 노광된 패턴의 검사 및 Mask와 Wafer의 alignment를 확인하는 검사부 Wafer의 위치를 Mask와 alignment하게 하는 Alignment stage부 그리고 기타 영상구현부로 구성되어 있는 장비 |
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| Maskless |
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| Maskless |
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| Mask 없이 GDS file 만으로 패턴 구현
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| Auto / Manual로 alignment 진행
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| Loading 사이즈 : 조각(10 x 10 ㎜ 외), 웨이퍼(4~8 inch)
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| Minimum pixel size : 2㎛
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| Resolution : 2㎛(Positive PR : t≤2㎛)
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| Light source : LD(laser diode, 405㎚ 10W)
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| (MA6)Ⅰ조각시편 |
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| MA6 (조각및backside align) |
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| *조각시편 및 4인치~6인치 Backside Align전용*
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| Hard/Soft, Low Vacuum
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| Vacuum contact
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| UV Source 365/405 nm
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| (MA6)Ⅱ4인치전용 |
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| MA6 Aligner2(4inch전용) |
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| *4인치~6인치 Wafer Aligner*
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| Hard/Soft, Low Vacuum
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| Vacuum contact
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| UV Source 365/405 nm
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| SPIN COATER |
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| PR COATER |
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| AZ 계열, PMER, SU8
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| 고속 회전식 Coater
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| 2 ~ 6 Inch Wafer
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| Vacuum Chucking |
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