MICRO/NANO FABRICATION
 
 
 
         
 
 
E-beam Lithography
 
Nano Pattern 구현
제조사 : Raith(독일)
Model : Raith 150-TWO
ILithography method:Device making and direct writing with vector scanning method.
Substrate Size:4 inch diameter (Max) , 6 inch diameter (Max) or more7 inch Square (Max) LoadingAcceleration voltage:30㎸
Electron beam shape:Round with Gaussian distribution
Electron beam diameter:2.0㎚φ(Min) or below
Electron beam current:5×10-13A ~ 2×10-8A
Minimum line width:20㎚ or below
Electron current stability:1%/0.5hour or below
Scanning field:900㎛×900㎛,
600㎛×600㎛
300㎛×300㎛,
150㎛×150㎛
75㎛×75㎛
or more
Electron beam positioning:16 bit DAC or more
Stitching accuracy:40㎚ (3σ) or below
Overlay accuracy:40㎚ (3σ) or below
Exposure area:X-150㎜, Y-150㎜ or more:
       
 
Spin Coater3
 
Spin Coater3
모델명 : EF-80P(Digital type)
       
 
EVG Aligner
 
EVG Aligner
*조각시편 및 4인치~8인치 Backside Align전용*
Hard/Soft, Low Vacuum
Vacuum contact
UV Source 365/405 nm
       
 
경사노광기
 
자외선을 노광하는 광원부와 노광된 패턴의 검사 및 Mask와 Wafer의 alignment를 확인하는 검사부 Wafer의 위치를 Mask와 alignment하게 하는 Alignment stage부 그리고 기타 영상구현부로 구성되어 있는 장비
       
 
(MA6)Ⅰ조각시편
 
MA6 (조각및backside align)
*조각시편 및 4인치~6인치 Backside Align전용*
Hard/Soft, Low Vacuum
Vacuum contact
UV Source 365/405 nm
       
 
(MA6)Ⅱ4인치전용
 
MA6 Aligner2(4inch전용)
*4인치~6인치 Wafer Aligner*
Hard/Soft, Low Vacuum
Vacuum contact
UV Source 365/405 nm
       
 
SPIN COATER
 
PR COATER
AZ 계열, PMER, SU8
고속 회전식 Coater
2 ~ 6 Inch Wafer
Vacuum Chucking